Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N04S6N031HATMA1
IAUC60N04S6N031HATMA1

IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc60n04s6n031h-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 75W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC60N04S6N031HATMA1 за ціною від 51.99 грн до 197.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies infineoniauc60n04s6n031hdatasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 105A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+116.51 грн
500+104.87 грн
1000+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies infineon_iauc60n04s6n031h_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+191.35 грн
10+99.50 грн
100+74.41 грн
500+62.30 грн
1000+57.93 грн
2500+54.77 грн
5000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6n031h-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.58 грн
10+122.33 грн
50+93.07 грн
100+78.47 грн
500+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies infineoniauc60n04s6n031hdatasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 105A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 infineoniauc60n04s6n031hdatasheetv0110en.pdf
IAUC60N04S6N031HATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 105A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
315+116.51 грн
500+104.87 грн
1000+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 infineon_iauc60n04s6n031h_datasheet_en.pdf
IAUC60N04S6N031HATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.35 грн
10+99.50 грн
100+74.41 грн
500+62.30 грн
1000+57.93 грн
2500+54.77 грн
5000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 infineon-iauc60n04s6n031h-datasheet-cn.pdf
IAUC60N04S6N031HATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.58 грн
10+122.33 грн
50+93.07 грн
100+78.47 грн
500+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 infineoniauc60n04s6n031hdatasheetv0110en.pdf
IAUC60N04S6N031HATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 105A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.