Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N04S6N031HATMA1
IAUC60N04S6N031HATMA1

IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 75W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC60N04S6N031HATMA1 за ціною від 48.70 грн до 135.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
10+88.74 грн
100+65.32 грн
500+55.51 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC60N04S6N031H_DataSheet_v01_00_EN-1921376.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.61 грн
10+96.45 грн
100+62.09 грн
250+59.08 грн
500+52.45 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6n031h-datasheet-v01_00-en.pdf SP003863382
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 IAUC60N04S6N031H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.