Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N10S5L110ATMA1
IAUC60N10S5L110ATMA1

IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.95 грн
10+78.61 грн
100+52.75 грн
500+39.10 грн
1000+35.76 грн
2000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC60N10S5L110ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC60N10S5L110ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n10s5l110-datasheet-v01_00-en.pdf SP005422122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 IAUC60N10S5L110 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC60N10S5L110_DataSheet_v01_00_EN-3362187.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.