IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.88 грн |
| 500+ | 40.51 грн |
| 1000+ | 34.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON-8-33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUC64N08S5L075ATMA1 за ціною від 34.37 грн до 139.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUC64N08S5L075ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IAUC64N08S5L075ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON-8-33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IAUC64N08S5L075ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IAUC64N08S5L075ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
товару немає в наявності |