Продукція > INFINEON > IAUC64N08S5L075ATMA1
IAUC64N08S5L075ATMA1

IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON

3999376.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+79.76 грн
500+62.31 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON-8-33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUC64N08S5L075ATMA1 за ціною від 34.95 грн до 171.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC64N08S5L075-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd40f74020b Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.49 грн
10+76.20 грн
100+51.24 грн
500+38.04 грн
1000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON 3999376.pdf Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.04 грн
10+111.01 грн
100+79.76 грн
500+62.31 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon-IAUC64N08S5L075-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd40f74020b
IAUC64N08S5L075ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.49 грн
10+76.20 грн
100+51.24 грн
500+38.04 грн
1000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1 3999376.pdf
IAUC64N08S5L075ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.04 грн
10+111.01 грн
100+79.76 грн
500+62.31 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.