Продукція > INFINEON > IAUC70N08S5N074ATMA1
IAUC70N08S5N074ATMA1

IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON

2883918.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.50 грн
500+60.70 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUC70N08S5N074ATMA1 за ціною від 35.48 грн до 137.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
10+85.27 грн
100+57.44 грн
500+42.72 грн
1000+38.08 грн
2000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC70N08S5N074_DS_v01_00_EN-1578743.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.61 грн
10+91.80 грн
100+54.93 грн
500+43.54 грн
1000+36.79 грн
5000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 Виробник : INFINEON 2883918.pdf Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.57 грн
10+104.20 грн
100+77.50 грн
500+60.70 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc70n08s5n074-ds-v01_00-en.pdf N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 IAUC70N08S5N074 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.