IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUC80N04S6L032ATMA1 за ціною від 22.16 грн до 85.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 50W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC80N04S6L032ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 66A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IAUC80N04S6L032ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 66A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 |
товару немає в наявності |