Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC90N10S5N062ATMA1
IAUC90N10S5N062ATMA1

IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IAUC90N10S5N062_DataSheet_v01_00_EN-1901166.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.28 грн
10+103.75 грн
100+61.25 грн
500+51.52 грн
1000+45.32 грн
2500+42.01 грн
5000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

Інші пропозиції IAUC90N10S5N062ATMA1 за ціною від 50.57 грн до 225.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.65 грн
10+107.66 грн
100+73.31 грн
500+55.00 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.31 грн
10+144.72 грн
100+98.68 грн
500+73.23 грн
1000+60.69 грн
5000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2
IAUC90N10S5N062ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.65 грн
10+107.66 грн
100+73.31 грн
500+55.00 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+225.31 грн
10+144.72 грн
100+98.68 грн
500+73.23 грн
1000+60.69 грн
5000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.