Продукція > INFINEON > IAUC90N10S5N062ATMA1
IAUC90N10S5N062ATMA1

IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON

3154647.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.57 грн
500+86.17 грн
1000+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUC90N10S5N062ATMA1 за ціною від 53.65 грн до 195.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 Виробник : INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.53 грн
10+111.52 грн
100+102.57 грн
500+86.17 грн
1000+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC90N10S5N062_DataSheet_v01_00_EN-1901166.pdf MOSFETs N
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.47 грн
10+138.53 грн
100+95.79 грн
250+95.06 грн
500+81.27 грн
1000+65.09 грн
5000+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.46 грн
10+121.32 грн
100+83.15 грн
500+62.71 грн
1000+56.33 грн
2000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc90n10s5n062-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2 IAUC90N10S5N062 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.