на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.88 грн |
| 10+ | 185.22 грн |
| 25+ | 152.00 грн |
| 100+ | 129.69 грн |
| 250+ | 122.71 грн |
| 500+ | 115.74 грн |
| 1000+ | 98.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S6N007TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 206W, Bauform - Transistor: LHDSO, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUCN04S6N007TATMA1 за ціною від 76.40 грн до 251.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S6N007TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET_(20V 40V)Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IAUCN04S6N007TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 206W Bauform - Transistor: LHDSO Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IAUCN04S6N007TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |