Продукція > INFINEON > IAUCN04S6N013TATMA1
IAUCN04S6N013TATMA1

IAUCN04S6N013TATMA1 INFINEON

Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.87 грн
500+67.14 грн
1000+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S6N013TATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: LHDSO, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S6N013TATMA1 за ціною від 52.94 грн до 169.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_iaucn04s6n013t_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.54 грн
10+93.53 грн
100+61.61 грн
500+57.93 грн
1000+55.40 грн
2000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.63 грн
10+101.57 грн
100+76.87 грн
500+67.14 грн
1000+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.32 грн
10+112.78 грн
100+80.46 грн
500+63.19 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 MOSFET_(20V,40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.