IAUCN04S6N017TATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.70 грн |
| 500+ | 58.64 грн |
| 1000+ | 47.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S6N017TATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103W, Bauform - Transistor: LHDSO, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUCN04S6N017TATMA1 за ціною від 47.63 грн до 119.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S6N017TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUCN04S6N017TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S6N017TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: LHDSO Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUCN04S6N017TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S6N017TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |