Інші пропозиції IAUCN04S7L005ATMA1 за ціною від 55.05 грн до 223.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7L005ATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUCN04S7L005ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IAUCN04S7L005ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.26 грн |
| 10+ | 129.69 грн |
| 100+ | 80.35 грн |
| 500+ | 64.84 грн |
| 1000+ | 63.65 грн |
| 2500+ | 62.45 грн |
| 5000+ | 55.05 грн |
| IAUCN04S7L005ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 10+ | 140.04 грн |
| 100+ | 96.97 грн |
| 500+ | 73.73 грн |
| 1000+ | 71.58 грн |