Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IAUCN04S7L005ATMA1

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ed07d31a6c
Код товару: 205699
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IAUCN04S7L005ATMA1 за ціною від 78.55 грн до 238.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ed07d31a6c Description: MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.14 грн
10+149.17 грн
50+114.49 грн
100+96.96 грн
500+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 INFINEON 4146074.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 INFINEON 4146074.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ed07d31a6c
IAUCN04S7L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.14 грн
10+149.17 грн
50+114.49 грн
100+96.96 грн
500+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IAUCN04S7L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 4146074.pdf
IAUCN04S7L005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1 4146074.pdf
IAUCN04S7L005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.