Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7L006ATMA1
IAUCN04S7L006ATMA1

IAUCN04S7L006ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7L006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecfcd81a69
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7L006ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN04S7L006ATMA1 за ціною від 48.63 грн до 129.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecfcd81a69 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.28 грн
10+89.64 грн
100+72.36 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7L006_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+95.64 грн
100+66.68 грн
500+57.23 грн
1000+56.53 грн
2500+56.10 грн
5000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1 Infineon-IAUCN04S7L006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecfcd81a69
IAUCN04S7L006ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.28 грн
10+89.64 грн
100+72.36 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1 Infineon_IAUCN04S7L006_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUCN04S7L006ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+95.64 грн
100+66.68 грн
500+57.23 грн
1000+56.53 грн
2500+56.10 грн
5000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.