Продукція > INFINEON > IAUCN04S7L011ATMA1
IAUCN04S7L011ATMA1

IAUCN04S7L011ATMA1 INFINEON

Infineon-IAUCN04S7L011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ece8851a63 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1130 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1130µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.23 грн
500+40.57 грн
1000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7L011ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1130 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1130µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S7L011ATMA1 за ціною від 34.36 грн до 133.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN04S7L011ATMA1 IAUCN04S7L011ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IAUCN04S7L011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ece8851a63 Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1130 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1130µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.67 грн
15+61.71 грн
100+49.23 грн
500+40.57 грн
1000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1 IAUCN04S7L011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7L011_DataSheet_v01_00_EN-3392534.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.25 грн
10+59.93 грн
100+43.10 грн
500+41.30 грн
1000+39.73 грн
2500+37.85 грн
5000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1 IAUCN04S7L011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ece8851a63 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.93 грн
10+82.20 грн
100+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1 IAUCN04S7L011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaucn04s7l011-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 222A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1 IAUCN04S7L011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ece8851a63 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.