Продукція > INFINEON > IAUCN04S7L014ATMA1
IAUCN04S7L014ATMA1

IAUCN04S7L014ATMA1 INFINEON

4146078.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1430 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.06 грн
500+34.28 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7L014ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1430 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S7L014ATMA1 за ціною від 27.77 грн до 120.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecded01a60 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.60 грн
10+68.64 грн
100+45.91 грн
500+33.92 грн
1000+30.97 грн
2000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7L014_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+73.19 грн
100+42.22 грн
500+33.20 грн
1000+29.67 грн
2500+28.83 грн
5000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 INFINEON 4146078.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1430 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
11+77.46 грн
100+51.06 грн
500+34.28 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1 Infineon-IAUCN04S7L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecded01a60
IAUCN04S7L014ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.60 грн
10+68.64 грн
100+45.91 грн
500+33.92 грн
1000+30.97 грн
2000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1 Infineon_IAUCN04S7L014_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUCN04S7L014ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.59 грн
10+73.19 грн
100+42.22 грн
500+33.20 грн
1000+29.67 грн
2500+28.83 грн
5000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1 4146078.pdf
IAUCN04S7L014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1430 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
11+77.46 грн
100+51.06 грн
500+34.28 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.