IAUCN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 316+ | 39.15 грн |
| 329+ | 37.64 грн |
| 337+ | 36.73 грн |
| 348+ | 34.23 грн |
| 500+ | 30.51 грн |
| 1000+ | 27.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUCN04S7L019ATMA1 за ціною від 29.44 грн до 73.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7L019ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L019ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUCN04S7L019ATMA1 Код товару: 213823
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IAUCN04S7L019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
товару немає в наявності |