IAUCN04S7L028ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.71 грн |
| 10+ | 55.55 грн |
| 100+ | 36.75 грн |
| 500+ | 26.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7L028ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN.
Інші пропозиції IAUCN04S7L028ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7L028ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 6691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN04S7L028ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)