Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7L038DATMA1
IAUCN04S7L038DATMA1

IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaucn04s7l038d-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.95 грн
10+84.46 грн
50+63.66 грн
100+53.43 грн
500+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7L038DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00384 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00384ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 51W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IAUCN04S7L038DATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN04S7L038DATMA1 IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7L038D-Data-Sheet-10-Infineon.pdf MOSFETs OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L038DATMA1 IAUCN04S7L038DATMA1 INFINEON infineon-iaucn04s7l038d-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L038DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00384 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00384ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon_IAUCN04S7L038D-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
IAUCN04S7L038DATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L038DATMA1 infineon-iaucn04s7l038d-datasheet-en.pdf
IAUCN04S7L038DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L038DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00384 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00384ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.