IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.33 грн |
| 10+ | 79.10 грн |
| 50+ | 59.45 грн |
| 100+ | 49.85 грн |
| 500+ | 39.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7L050HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 65 A, 5040 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 65A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5040µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IAUCN04S7L050HATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7L050HATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor |
на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN04S7L050HATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L050HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 65 A, 5040 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 65A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5040µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN04S7L050HATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 5289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IAUCN04S7L050HATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L050HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 65 A, 5040 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 65A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7L050HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 65 A, 5040 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 65A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)