IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.06 грн |
| 500+ | 43.42 грн |
| 1000+ | 35.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 41W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IAUCN04S7L053DATMA1 за ціною від 30.11 грн до 135.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IAUCN04S7L053DATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUCN04S7L053DATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUCN04S7L053DATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUCN04S7L053DATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IAUCN04S7L053DATMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
IAUCN04S7L053DATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |

