Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7L053DATMA1
IAUCN04S7L053DATMA1

IAUCN04S7L053DATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaucn04s7l053d-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
204+69.71 грн
233+61.07 грн
251+56.57 грн
254+54.00 грн
500+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 204 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7L053DATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 41W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IAUCN04S7L053DATMA1 за ціною від 37.95 грн до 130.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7l053d-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.50 грн
11+69.71 грн
25+61.07 грн
100+54.55 грн
250+50.00 грн
500+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L053D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebcefdd5602 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.34mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 infineon-iaucn04s7l053d-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.50 грн
11+69.71 грн
25+61.07 грн
100+54.55 грн
250+50.00 грн
500+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 Infineon-IAUCN04S7L053D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebcefdd5602
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.34mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.47 грн
10+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.