Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7N005ATMA1
IAUCN04S7N005ATMA1

IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701890621ba151fdb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 179W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm.

Інші пропозиції IAUCN04S7N005ATMA1 за ціною від 77.82 грн до 272.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701890621ba151fdb Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+147.79 грн
50+113.43 грн
100+96.06 грн
500+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 414A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 414A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.51 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N005_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 INFINEON 3988461.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 17316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 INFINEON 3988461.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 17316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701890621ba151fdb
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.93 грн
10+147.79 грн
50+113.43 грн
100+96.06 грн
500+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 infineon-iaucn04s7n005-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 414A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+272.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 infineon-iaucn04s7n005-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 414A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+272.51 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon_IAUCN04S7N005_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 3988461.pdf
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 17316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 3988461.pdf
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 17316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.