Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7N006TATMA1
IAUCN04S7N006TATMA1

IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies

448_IAUCN04S7N006T.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN04S7N006TATMA1 за ціною від 89.42 грн до 264.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies 448_IAUCN04S7N006T.pdf Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.25 грн
10+166.31 грн
50+128.43 грн
100+109.08 грн
500+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies Infineon_04-30-2025_IAUCN04S7N006T-Data-Sheet-10-Infineon.pdf MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006TATMA1 448_IAUCN04S7N006T.pdf
IAUCN04S7N006TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.25 грн
10+166.31 грн
50+128.43 грн
100+109.08 грн
500+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon_04-30-2025_IAUCN04S7N006T-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
IAUCN04S7N006TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.