IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 83.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 370A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 164W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm.
Інші пропозиції IAUCN04S7N006TATMA1 за ціною від 87.77 грн до 259.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUCN04S7N006TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IAUCN04S7N006TATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IAUCN04S7N006TATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor |
на замовлення 11327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IAUCN04S7N006TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 370A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 164W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IAUCN04S7N006TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN04S7N006TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.40 грн |
| 10+ | 163.26 грн |
| 50+ | 126.08 грн |
| 100+ | 107.08 грн |
| 500+ | 87.77 грн |
| IAUCN04S7N006TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 11327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IAUCN04S7N006TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N006TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)