IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.23 грн |
| 10+ | 93.01 грн |
| 100+ | 55.78 грн |
| 500+ | 47.27 грн |
| 1000+ | 40.16 грн |
| 5000+ | 37.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies
Description: IAUCN04S7N010GATMA1, Packaging: Tray, Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 88A, 10V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-THSOG-4-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUCN04S7N010GATMA1 за ціною від 56.30 грн до 174.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7N010GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IAUCN04S7N010GATMA1Packaging: Tray Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-THSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|