Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7N012ATMA1
IAUCN04S7N012ATMA1

IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecad6a1a51
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.05 грн
15000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 105W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції IAUCN04S7N012ATMA1 за ціною від 44.10 грн до 162.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.81 грн
25+54.94 грн
100+52.13 грн
250+47.49 грн
500+44.84 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.81 грн
258+54.94 грн
263+54.06 грн
267+51.29 грн
500+46.71 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecad6a1a51 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.22 грн
50+67.20 грн
100+56.40 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 INFINEON 4146083.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 INFINEON 4146083.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.81 грн
25+54.94 грн
100+52.13 грн
250+47.49 грн
500+44.84 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.81 грн
258+54.94 грн
263+54.06 грн
267+51.29 грн
500+46.71 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecad6a1a51
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.23 грн
10+89.22 грн
50+67.20 грн
100+56.40 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 214A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 4146083.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 4146083.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.