Продукція > INFINEON > IAUCN04S7N012ATMA1
IAUCN04S7N012ATMA1

IAUCN04S7N012ATMA1 INFINEON

4146083.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.80 грн
500+64.76 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N012ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUCN04S7N012ATMA1 за ціною від 45.53 грн до 202.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N012_DataSheet_v01_00_EN-3392540.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.84 грн
10+71.24 грн
100+54.65 грн
250+51.23 грн
500+49.10 грн
1000+47.43 грн
2000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Виробник : INFINEON 4146083.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.92 грн
10+111.69 грн
100+75.80 грн
500+64.76 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.