Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7N012ATMA1
IAUCN04S7N012ATMA1

IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecad6a1a51
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+36.38 грн
10000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN04S7N012ATMA1 за ціною від 37.18 грн до 138.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N012_DataSheet_v01_00_EN-3392540.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.79 грн
10+66.06 грн
100+50.68 грн
250+47.51 грн
500+45.53 грн
1000+43.98 грн
2000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecad6a1a51 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.76 грн
10+85.29 грн
100+57.47 грн
500+42.76 грн
1000+39.17 грн
2000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon_IAUCN04S7N012_DataSheet_v01_00_EN-3392540.pdf
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.79 грн
10+66.06 грн
100+50.68 грн
250+47.51 грн
500+45.53 грн
1000+43.98 грн
2000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecad6a1a51
IAUCN04S7N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.76 грн
10+85.29 грн
100+57.47 грн
500+42.76 грн
1000+39.17 грн
2000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.