Продукція > INFINEON > IAUCN04S7N020ATMA1
IAUCN04S7N020ATMA1

IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON

4146085.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+66.69 грн
500+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S7N020ATMA1 за ціною від 27.56 грн до 161.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N020_DataSheet_v01_00_EN-3392522.pdf MOSFETs N
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.74 грн
10+76.11 грн
100+51.95 грн
500+44.05 грн
1000+35.88 грн
2000+33.76 грн
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc5b071f5a Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+63.99 грн
100+42.59 грн
500+31.37 грн
1000+28.60 грн
2000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON 4146085.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.17 грн
10+101.14 грн
100+66.69 грн
500+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon_IAUCN04S7N020_DataSheet_v01_00_EN-3392522.pdf
IAUCN04S7N020ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.74 грн
10+76.11 грн
100+51.95 грн
500+44.05 грн
1000+35.88 грн
2000+33.76 грн
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc5b071f5a
IAUCN04S7N020ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.67 грн
10+63.99 грн
100+42.59 грн
500+31.37 грн
1000+28.60 грн
2000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 4146085.pdf
IAUCN04S7N020ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.17 грн
10+101.14 грн
100+66.69 грн
500+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.