Продукція > INFINEON > IAUCN04S7N024DATMA1
IAUCN04S7N024DATMA1

IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON

4470068.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 72W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S7N024DATMA1 за ціною від 40.90 грн до 188.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.36 грн
10+98.71 грн
100+68.50 грн
500+52.16 грн
1000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N024D_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.35 грн
10+111.18 грн
100+67.29 грн
500+56.63 грн
1000+48.19 грн
5000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Виробник : INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.51 грн
10+121.37 грн
100+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n024d-datasheet-v01_00-en.pdf MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.