Продукція > INFINEON > IAUCN04S7N040DATMA1
IAUCN04S7N040DATMA1

IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON

4395758.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.00 грн
500+61.95 грн
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 51W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S7N040DATMA1 за ціною від 33.78 грн до 196.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.38 грн
10+72.52 грн
100+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N040D_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.22 грн
10+94.74 грн
100+55.04 грн
500+43.61 грн
1000+37.17 грн
2500+36.83 грн
5000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : INFINEON 4395758.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.26 грн
10+125.99 грн
100+84.00 грн
500+61.95 грн
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.