Продукція > INFINEON > IAUCN04S7N040DATMA1
IAUCN04S7N040DATMA1

IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON


Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.09 грн
500+48.04 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 51W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUCN04S7N040DATMA1 за ціною від 29.92 грн до 148.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.16 грн
10+77.29 грн
100+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.65 грн
10+87.27 грн
100+50.57 грн
500+41.43 грн
1000+36.29 грн
2500+35.22 грн
5000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.91 грн
10+94.68 грн
100+63.09 грн
500+48.04 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.