IAUCN04S7N040HATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.44 грн |
| 10+ | 88.16 грн |
| 100+ | 59.55 грн |
| 500+ | 44.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7N040HATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 52W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUCN04S7N040HATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7N040HATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN04S7N040HATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)