IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.63 грн |
| 10+ | 57.97 грн |
| 50+ | 43.16 грн |
| 100+ | 35.99 грн |
| 500+ | 28.08 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7N047GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0047 ohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm.
Інші пропозиції IAUCN04S7N047GATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN04S7N047GATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IAUCN04S7N047GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N047GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0047 ohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN04S7N047GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IAUCN04S7N047GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N047GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0047 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
Description: INFINEON - IAUCN04S7N047GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0047 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)