IAUCN08S7L110ATMA1

IAUCN08S7L110ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IAUCN08S7L110_DataSheet_v01_00_EN-3536876.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.37 грн
10+75.85 грн
100+43.77 грн
500+34.56 грн
1000+31.17 грн
2500+29.43 грн
5000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN08S7L110ATMA1 Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN08S7L110ATMA1 за ціною від 32.00 грн до 126.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.52 грн
10+77.27 грн
100+51.62 грн
500+38.11 грн
1000+34.79 грн
2000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.