IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 97.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LHSOIC, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUCN08S7N019TATMA1 за ціною від 102.28 грн до 361.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUCN08S7N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUCN08S7N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUCN08S7N019TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LHSOIC Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|