Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN08S7N024ATMA1
IAUCN08S7N024ATMA1

IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies

IAUCN08S7N024-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(, Qualification: AEC-Q101, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IAUCN08S7N024ATMA1 за ціною від 54.13 грн до 207.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies IAUCN08S7N024-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: MOSFET_(75V 120V(
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.85 грн
10+122.17 грн
100+87.43 грн
500+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN08S7N024_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.22 грн
10+132.12 грн
100+81.76 грн
500+68.51 грн
1000+63.65 грн
5000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
IAUCN08S7N024ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.85 грн
10+122.17 грн
100+87.43 грн
500+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon_IAUCN08S7N024_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUCN08S7N024ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+207.22 грн
10+132.12 грн
100+81.76 грн
500+68.51 грн
1000+63.65 грн
5000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.