IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 157W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LHSOIC, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm.

Інші пропозиції IAUCN08S7N024TATMA1 за ціною від 78.94 грн до 265.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38 Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.88 грн
500+91.63 грн
1000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38 Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.67 грн
10+149.96 грн
100+104.55 грн
500+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38 Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 157W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.20 грн
10+168.57 грн
100+120.88 грн
500+91.63 грн
1000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies Infineon_04-30-2025_IAUCN08S7N024T-Data-Sheet-10-Infineon.pdf MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.60 грн
10+171.03 грн
100+103.61 грн
500+84.58 грн
2000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+120.88 грн
500+91.63 грн
1000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+238.67 грн
10+149.96 грн
100+104.55 грн
500+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 157W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+258.20 грн
10+168.57 грн
100+120.88 грн
500+91.63 грн
1000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon_04-30-2025_IAUCN08S7N024T-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.60 грн
10+171.03 грн
100+103.61 грн
500+84.58 грн
2000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.