IAUCN08S7N034ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.64 грн |
| 10+ | 103.36 грн |
| 100+ | 70.66 грн |
| 500+ | 53.17 грн |
| 1000+ | 52.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN08S7N034ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IAUCN08S7N034ATMA1 за ціною від 41.93 грн до 237.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUCN08S7N034ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IAUCN08S7N034ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IAUCN08S7N034ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IAUCN08S7N034ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |