IAUCN08S7N034ATMA1 Infineon Technologies


IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.89 грн
10+104.76 грн
100+71.61 грн
500+53.89 грн
1000+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN08S7N034ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUCN08S7N034ATMA1 за ціною від 42.50 грн до 240.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN08S7N034_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.50 грн
10+108.61 грн
100+64.28 грн
500+53.92 грн
1000+50.04 грн
5000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON 4417792.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON 4417792.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.93 грн
10+155.41 грн
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 Infineon_IAUCN08S7N034_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.50 грн
10+108.61 грн
100+64.28 грн
500+53.92 грн
1000+50.04 грн
5000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 4417792.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 4417792.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+240.93 грн
10+155.41 грн
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.