Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN10S5L094DATMA1
IAUCN10S5L094DATMA1

IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.52 грн
10+134.98 грн
100+93.27 грн
500+70.80 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 94W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUCN10S5L094DATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN10S5L094D-Data-Sheet-10-Infineon.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9 Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9 Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon_IAUCN10S5L094D-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.