на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.60 грн |
10+ | 71.32 грн |
100+ | 48.22 грн |
500+ | 40.88 грн |
1000+ | 33.32 грн |
2500+ | 31.41 грн |
5000+ | 30.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUCN10S7L180ATMA1 Infineon Technologies
Description: IAUCN10S7L180ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUCN10S7L180ATMA1 за ціною від 31.45 грн до 115.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUCN10S7L180ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUCN10S7L180ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IAUCN10S7L180ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUCN10S7L180ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |