IAUCN10S7L180ATMA1

IAUCN10S7L180ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IAUCN10S7L180_DataSheet_v01_00_EN-3536871.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.53 грн
10+73.33 грн
100+49.58 грн
500+42.03 грн
1000+34.26 грн
2500+32.30 грн
5000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN10S7L180ATMA1 Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN10S7L180ATMA1 за ціною від 32.34 грн до 119.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.18 грн
10+72.95 грн
100+48.77 грн
500+36.06 грн
1000+32.93 грн
2000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.