Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN10S7N074ATMA1
IAUCN10S7N074ATMA1

IAUCN10S7N074ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaucn10s7n074-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN10S7N074ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm.

Інші пропозиції IAUCN10S7N074ATMA1 за ціною від 44.56 грн до 176.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn10s7n074-datasheet-en.pdf Description: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.47 грн
10+97.52 грн
50+73.89 грн
100+62.18 грн
500+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN10S7N074_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 8517 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+176.15 грн
10+84.12 грн
100+65.53 грн
500+52.33 грн
1000+50.87 грн
2500+49.03 грн
5000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 infineon-iaucn10s7n074-datasheet-en.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.47 грн
10+97.52 грн
50+73.89 грн
100+62.18 грн
500+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 Infineon_IAUCN10S7N074_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 8517 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.15 грн
10+84.12 грн
100+65.53 грн
500+52.33 грн
1000+50.87 грн
2500+49.03 грн
5000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.