IAUMN04S7N011GAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.01 грн |
| 10+ | 166.63 грн |
| 100+ | 99.85 грн |
| 500+ | 84.08 грн |
| 2000+ | 72.30 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUMN04S7N011GAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 124W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm.
Інші пропозиції IAUMN04S7N011GAUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUMN04S7N011GAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 124W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUMN04S7N011GAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)