Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUMN08S5N012GAUMA1
IAUMN08S5N012GAUMA1

IAUMN08S5N012GAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUMN08S5N012G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29a3b01109
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.06 грн
10+273.28 грн
50+215.30 грн
100+184.54 грн
500+169.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUMN08S5N012GAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 325W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції IAUMN08S5N012GAUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUMN08S5N012GAUMA1 IAUMN08S5N012GAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUMN08S5N012G_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 IAUMN08S5N012GAUMA1 INFINEON 4395755.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 IAUMN08S5N012GAUMA1 INFINEON 4395755.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 Infineon_IAUMN08S5N012G_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUMN08S5N012GAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 4395755.pdf
IAUMN08S5N012GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 4395755.pdf
IAUMN08S5N012GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.