IAUMN08S5N013GAUMA1

IAUMN08S5N013GAUMA1 Infineon Technologies


Infineon_IAUMN08S5N013G_DataSheet_v01_00_EN-3512241.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.47 грн
10+288.50 грн
25+236.89 грн
100+203.05 грн
250+191.28 грн
500+180.24 грн
1000+154.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUMN08S5N013GAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 307W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IAUMN08S5N013GAUMA1 за ціною від 147.64 грн до 359.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUMN08S5N013GAUMA1 IAUMN08S5N013GAUMA1 Виробник : INFINEON 4395756.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.82 грн
10+294.63 грн
100+257.49 грн
500+219.94 грн
1000+186.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.04 грн
10+215.65 грн
25+198.24 грн
100+168.06 грн
250+159.51 грн
500+154.35 грн
1000+147.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.