IAUMN10S5N016GAUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 352.29 грн |
| 10+ | 309.61 грн |
| 100+ | 271.95 грн |
| 500+ | 234.66 грн |
| 1000+ | 208.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUMN10S5N016GAUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUMN10S5N016GAUMA1 за ціною від 238.11 грн до 355.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUMN10S5N016GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IAUMN10S5N016GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |