Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS165N08S5N029ATMA1
IAUS165N08S5N029ATMA1

IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUS165N08S5N029ATMA1 за ціною від 105.92 грн до 307.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+152.88 грн
500+146.76 грн
1000+138.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.96 грн
10+190.45 грн
100+136.57 грн
500+107.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.20 грн
10+216.17 грн
100+134.27 грн
500+117.11 грн
1800+105.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDD5BE257718BF&compId=IAUS165N08S5N029.pdf?ci_sign=394e5f40f7fae10bc3b56c2d70e20a1e0fc48e70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDD5BE257718BF&compId=IAUS165N08S5N029.pdf?ci_sign=394e5f40f7fae10bc3b56c2d70e20a1e0fc48e70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.