Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS165N08S5N029ATMA1
IAUS165N08S5N029ATMA1

IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.03 грн
10+ 179.42 грн
100+ 145.2 грн
500+ 121.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUS165N08S5N029ATMA1 за ціною від 108.27 грн до 243.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.34 грн
10+ 201.67 грн
25+ 164.74 грн
100+ 142.15 грн
250+ 134.18 грн
500+ 126.21 грн
1000+ 108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товар відсутній
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 2.9mΩ
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 165A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 2.9mΩ
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 165A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній