IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 150.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUS165N08S5N029ATMA1 за ціною від 103.04 грн до 268.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUS165N08S5N029 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |