Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS165N08S5N029ATMA1
IAUS165N08S5N029ATMA1

IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+153.76 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUS165N08S5N029ATMA1 за ціною від 98.98 грн до 299.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+149.23 грн
1000+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUS165N08S5N029_DS_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.10 грн
10+209.13 грн
100+128.14 грн
500+116.63 грн
1000+115.10 грн
1800+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.64 грн
10+190.15 грн
100+134.01 грн
500+114.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016440702dce6199 Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
On-state resistance: 2.9mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 660A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.