Продукція > INFINEON > IAUS200N08S5N023ATMA1
IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON

2883919.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+172.40 грн
500+148.41 грн
1000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUS200N08S5N023ATMA1 за ціною від 113.66 грн до 343.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+172.49 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+174.23 грн
500+166.84 грн
1000+158.39 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+174.23 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUS200N08S5N023_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.09 грн
10+200.67 грн
100+136.87 грн
500+126.47 грн
1000+121.67 грн
1800+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+319.66 грн
10+220.89 грн
100+172.40 грн
500+148.41 грн
1000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.83 грн
10+205.53 грн
100+145.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+343.18 грн
50+255.54 грн
63+202.74 грн
1000+171.06 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf OptiMOS Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 148A; Idm: 800A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.