Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS200N08S5N023ATMA1
IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+198.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

Інші пропозиції IAUS200N08S5N023ATMA1 за ціною від 117.87 грн до 395.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+200.97 грн
500+192.44 грн
1000+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+200.97 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.13 грн
10+187.95 грн
100+132.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon_iaus200n08s5n023_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 766 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+362.61 грн
10+183.89 грн
100+145.64 грн
500+135.88 грн
1000+122.37 грн
1800+117.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+395.85 грн
50+294.76 грн
63+233.86 грн
1000+197.32 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+200.97 грн
500+192.44 грн
1000+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+200.97 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.13 грн
10+187.95 грн
100+132.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon_iaus200n08s5n023_datasheet_en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 766 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+362.61 грн
10+183.89 грн
100+145.64 грн
500+135.88 грн
1000+122.37 грн
1800+117.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+395.85 грн
50+294.76 грн
63+233.86 грн
1000+197.32 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 2883919.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 2883919.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.