IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.29 грн |
| 500+ | 148.05 грн |
| 1000+ | 122.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUS200N08S5N023ATMA1 за ціною від 118.57 грн до 333.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: PG-HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS Power-Transistor |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IAUS200N08S5N023ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |