Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS200N08S5N023ATMA1
IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+191.24 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUS200N08S5N023ATMA1 за ціною від 129.18 грн до 380.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+193.17 грн
500+184.98 грн
1000+175.61 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.88 грн
10+182.71 грн
100+129.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+380.49 грн
50+283.32 грн
63+224.78 грн
1000+189.66 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUS200N08S5N023_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+193.17 грн
500+184.98 грн
1000+175.61 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.88 грн
10+182.71 грн
100+129.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+380.49 грн
50+283.32 грн
63+224.78 грн
1000+189.66 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon_IAUS200N08S5N023_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 2883919.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 2883919.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.