Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS260N10S5N019TATMA1
IAUS260N10S5N019TATMA1

IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+196.57 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUS260N10S5N019TATMA1 за ціною від 177.64 грн до 599.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : INFINEON 3199847.pdf Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+227.78 грн
500+196.18 грн
1000+180.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus260n10s5n019t-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 14695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+271.47 грн
500+260.29 грн
1000+245.04 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus260n10s5n019t-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+271.47 грн
500+260.29 грн
1000+245.04 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.84 грн
10+278.26 грн
100+208.37 грн
500+177.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : INFINEON 3199847.pdf Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.62 грн
10+303.70 грн
100+227.78 грн
500+196.18 грн
1000+180.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUS260N10S5N019T_DataSheet_v01_00_EN-2399748.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 8653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.31 грн
10+310.49 грн
25+269.26 грн
100+202.31 грн
500+187.60 грн
1800+186.86 грн
3600+186.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus260n10s5n019t-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+599.88 грн
31+405.68 грн
50+366.03 грн
100+341.19 грн
500+314.10 грн
1000+270.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus260n10s5n019t-datasheet-v01_00-en.pdf SP002952334
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus260n10s5n019t-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus260n10s5n019t-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.