IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 183.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUS260N10S5N019TATMA1 за ціною від 176.48 грн до 611.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 14695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 6536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP002952334 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W Case: PG-HDSOP-16 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 5 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 166nC On-state resistance: 2.6mΩ Drain current: 91A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 995A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |