Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS300N08S5N012ATMA1
IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+165.26 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції IAUS300N08S5N012ATMA1 за ціною від 182.80 грн до 554.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+284.49 грн
500+269.27 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 26546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+284.49 грн
500+269.27 грн
1000+255.22 грн
10000+231.43 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+330.43 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348 Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.75 грн
10+289.82 грн
100+209.29 грн
500+182.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.76 грн
10+366.59 грн
100+282.01 грн
500+258.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+539.76 грн
39+366.59 грн
100+282.01 грн
500+258.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.84 грн
38+376.79 грн
100+289.83 грн
500+266.03 грн
1800+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUS300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348 Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348 Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+284.49 грн
500+269.27 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 26546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+284.49 грн
500+269.27 грн
1000+255.22 грн
10000+231.43 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+330.43 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.75 грн
10+289.82 грн
100+209.29 грн
500+182.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+539.76 грн
10+366.59 грн
100+282.01 грн
500+258.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+539.76 грн
39+366.59 грн
100+282.01 грн
500+258.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 infineoniaus300n08s5n012datasheetv0102en.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+554.84 грн
38+376.79 грн
100+289.83 грн
500+266.03 грн
1800+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon_IAUS300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348
IAUS300N08S5N012ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.