Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS300N08S5N014ATMA1
IAUS300N08S5N014ATMA1

IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies

IAUS300N08S5N014.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+370.30 грн
10+237.70 грн
100+170.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUS300N08S5N014ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUS300N08S5N014ATMA1 IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies IAUS300N08S5N014.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1 IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUS300N08S5N014_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1 IAUS300N08S5N014.pdf
IAUS300N08S5N014ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon_IAUS300N08S5N014_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IAUS300N08S5N014ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.