IAUS300N10S5N014ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 375.96 грн |
| 100+ | 278.14 грн |
| 500+ | 255.11 грн |
| 1000+ | 231.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS300N10S5N014ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUS300N10S5N014ATMA1 за ціною від 229.01 грн до 557.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005423088 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 1315A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IAUS300N10S5N014ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 1315A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |