IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 477.86 грн |
| 10+ | 309.54 грн |
| 50+ | 244.89 грн |
| 100+ | 210.31 грн |
| 500+ | 197.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm.
Інші пропозиції IAUS300N10S5N014ATMA1 за ціною від 331.95 грн до 629.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IAUS300N10S5N014ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IAUS300N10S5N014ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IAUS300N10S5N014ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IAUS300N10S5N014ATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 360 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16011 @ 50, Qg, нКл = 216, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Очікується: 160 Од. вим: шткількість в упаковці: 1800 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| IAUS300N10S5N014ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 629.72 грн |
| IAUS300N10S5N014ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUS300N10S5N014ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUS300N10S5N014ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 360 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16011 @ 50, Qg, нКл = 216, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Очікується: 160 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 360 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16011 @ 50, Qg, нКл = 216, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Очікується: 160 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 331.95 грн |




