Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035

IAUT150N10S5N035 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT150N10S5N035 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8, Technology: OptiMOS™ 5, Drain current: 150A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PG-HSOF-8, On-state resistance: 3.5mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 166W, Gate charge: 30nC, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції IAUT150N10S5N035

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 166W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 166W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.