IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 97.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 166W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IAUT150N10S5N035ATMA1 за ціною від 97.24 грн до 231.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUT150N10S5N035ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT150N10S5N035ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V |
на замовлення 7513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUT150N10S5N035ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 10025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUT150N10S5N035ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-HSOF-8 On-state resistance: 3.5mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 100V Mounting: SMD Power dissipation: 166W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IAUT150N10S5N035ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IAUT150N10S5N035ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-HSOF-8 On-state resistance: 3.5mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 100V Mounting: SMD Power dissipation: 166W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |