IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 87.03 грн |
| 500+ | 70.71 грн |
| 1000+ | 63.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUT165N08S5N029ATMA2 за ціною від 63.91 грн до 227.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V,120V( |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IAUT165N08S5N029ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: OptiMOS™ 5 |
товару немає в наявності |