Продукція > INFINEON > IAUT240N08S5N019ATMA1
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON


INFN-S-A0003614467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.82 грн
500+185.01 грн
1000+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUT240N08S5N019ATMA1 за ціною від 118.89 грн до 324.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.33 грн
10+197.47 грн
100+141.91 грн
500+124.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUT240N08S5N019_DataSheet_v01_10_EN-3361859.pdf MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.09 грн
10+223.66 грн
25+173.94 грн
100+150.45 грн
250+137.24 грн
500+129.90 грн
1000+118.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+324.38 грн
10+230.52 грн
100+186.06 грн
500+171.25 грн
1000+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut240n08s5n019-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.