Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT300N08S5N012ATMA2
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+180.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUT300N08S5N012ATMA2 за ціною від 154.25 грн до 411.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+223.36 грн
60+195.53 грн
100+177.08 грн
250+166.19 грн
500+162.38 грн
1000+158.57 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+223.93 грн
500+192.97 грн
1000+171.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 268251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+226.11 грн
500+213.99 грн
1000+202.89 грн
10000+183.96 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+226.11 грн
500+213.99 грн
1000+202.89 грн
10000+183.96 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+237.41 грн
56+220.03 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+237.41 грн
56+220.03 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+239.31 грн
10+219.50 грн
25+218.03 грн
50+209.49 грн
100+189.73 грн
250+178.06 грн
500+173.98 грн
1000+169.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.32 грн
10+267.19 грн
100+201.88 грн
500+174.07 грн
1000+154.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DataSheet-v01_02-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.27 грн
10+266.96 грн
100+176.94 грн
500+173.16 грн
1000+169.38 грн
2000+155.01 грн
4000+154.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.42 грн
10+266.30 грн
100+191.42 грн
500+177.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D8C91B1A2E143&compId=IAUT300N08S5N012.pdf?ci_sign=a7ed1dfb1242275fc40ac963e384fc5474eb3a2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D8C91B1A2E143&compId=IAUT300N08S5N012.pdf?ci_sign=a7ed1dfb1242275fc40ac963e384fc5474eb3a2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.