Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT300N08S5N012ATMA2
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+144.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUT300N08S5N012ATMA2 за ціною від 149.42 грн до 449.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+206.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+206.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.42 грн
500+189.36 грн
1000+169.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 258725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 82775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.70 грн
10+257.07 грн
100+227.37 грн
500+203.62 грн
1000+190.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.76 грн
10+280.42 грн
25+277.59 грн
100+222.12 грн
250+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.76 грн
51+277.59 грн
100+222.12 грн
250+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IAUT300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.41 грн
10+271.53 грн
100+171.27 грн
500+160.00 грн
1000+155.06 грн
2000+149.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.98 грн
10+261.44 грн
100+187.66 грн
500+160.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+449.80 грн
50+315.76 грн
100+229.42 грн
500+189.36 грн
1000+169.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+206.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+206.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+229.42 грн
500+189.36 грн
1000+169.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 258725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 82775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+320.70 грн
10+257.07 грн
100+227.37 грн
500+203.62 грн
1000+190.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+340.76 грн
10+280.42 грн
25+277.59 грн
100+222.12 грн
250+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+340.76 грн
51+277.59 грн
100+222.12 грн
250+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon_IAUT300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+391.41 грн
10+271.53 грн
100+171.27 грн
500+160.00 грн
1000+155.06 грн
2000+149.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+405.98 грн
10+261.44 грн
100+187.66 грн
500+160.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+449.80 грн
50+315.76 грн
100+229.42 грн
500+189.36 грн
1000+169.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.