IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IAUT300N08S5N012ATMA2 за ціною від 186.14 грн до 341.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 82775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 258725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 300A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 178nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V,120V( |
на замовлення 9883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 207.26 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 82775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 253.97 грн |
| 500+ | 239.79 грн |
| 1000+ | 226.80 грн |
| 10000+ | 206.17 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 258725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 253.97 грн |
| 500+ | 239.79 грн |
| 1000+ | 226.80 грн |
| 10000+ | 206.17 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 257.98 грн |
| 57+ | 249.00 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 257.98 грн |
| 57+ | 249.00 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 314.11 грн |
| 10+ | 251.78 грн |
| 100+ | 222.70 грн |
| 500+ | 199.43 грн |
| 1000+ | 186.14 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 341.52 грн |
| 10+ | 281.04 грн |
| 25+ | 278.21 грн |
| 100+ | 222.62 грн |
| 250+ | 198.11 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 341.52 грн |
| 51+ | 278.21 грн |
| 100+ | 222.62 грн |
| 250+ | 198.11 грн |
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 9883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)